Innodisk M4UE

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DDR4

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR4
// [2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 1Gx16 | 2Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8 | 512Mx16]
// [2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M4UE

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4UEM4UE-2GSV1C0M-F, M4UE-2GSV1C0M-G, M4UE-2GSV1CIK-G, M4UE-2GSV1CSJ-G, M4UE-2GSV1CUN-F, M4UE-2GSV1CUN-G, M4UE-4GSSJC0M-F, M4UE-4GSSJC0M-G, M4UE-4GSSJCIK-G, M4UE-4GSSJCSJ-G, M4UE-4GSSJCUN-F, M4UE-4GSSJCUN-G, M4UE-8GSSKC0M-F, M4UE-8GSSKC0M-G, M4UE-8GSSKCIK-G, M4UE-8GSSKCSJ-G, M4UE-8GSSKCUN-F, M4UE-8GSSKCUN-G, M4UE-4GSV2C0M-G, M4UE-4GSV2CIK-G, M4UE-4GSV2CRG-G, M4UE-4GSV2CSJ-G, M4UE-4GSV2CUN-G, M4UE-4GMX1C0M-R, M4UE-4GMX1CUN-R, M4UE-8GH1JC0M-E, M4UE-8GH1JCUN-E, M4UE-8GM1JC0M-R, M4UE-8GM1JCIK-R, M4UE-8GM1JCUN-R, M4UE-8GMX2C0M-R, M4UE-8GMX2CIK-R, M4UE-8GMX2CSJ-R, M4UE-8GMX2CUN-R, M4UE-AGH1KC0M-E, M4UE-AGH1KCUN-E, M4UE-AGH2JC0M-D, M4UE-AGH2JCUN-D, M4UE-AGM1KC0M-R, M4UE-AGM1KCIK-R, M4UE-AGM1KCUN-R, M4UE-AGM2JC0M-F, M4UE-AGM2JCUN-F, M4UE-BGH2KC0M-D, M4UE-BGH2KCUN-D, M4UE-BGM2KC0M-F, M4UE-BGM2KCUN-F, M4UE-8GMY1C0M-F, M4UE-8GMY1CUN-F, M4UE-AGMY2C0M-F, M4UE-AGMY2CUN-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered DIMM
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandHynix, Micron, Samsung
IC Organization1Gx8, 1Gx16, 2Gx8, 256Mx16, 512Mx8, 512Mx16
GradeCommercial
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Die VersionD, E, F, G, R
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe31,25 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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