Innodisk M4UE

M4UE-2GNV1C0M-F, M4UE-2GNV1CUN-F, M4UE-2GWV1C0M-R, M4UE-2GWV1CUN-R, M4UE-4GNSJC0M-F, M4UE-4GNSJCUN-F, M4UE-4GNV2C0M-F, M4UE-4GNV2CUN-F, M4UE-4GNX1C0M-H, M4UE-4GNX1CUN-H, M4UE-4GWSJC0M-R, M4UE-4GWSJCUN-R, M4UE-4GWV2C0M-R, M4UE-4GWV2CUN-R, M4UE-8GN1JC0M-H, M4UE-8GN1JCUN-H, M4UE-8GNSKC0M-F, M4UE-8GNSKCUN-F, M4UE-8GNX2C0M-H, M4UE-8GNX2CUN-H, M4UE-8GWSKC0M-R, M4UE-8GWSKCUN-R, M4UE-AGN1KC0M-H, M4UE-AGN1KCUN-H, M4UE-AGS2JC0M-C, M4UE-AGS2JCUN-C, M4UE-BGS2KC0M-C, M4UE-BGS2KCIK-C, M4UE-BGS2KCSJ-C, M4UE-BGS2KCUN-C

DDR4

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR4
// [2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8 | 512Mx16]
// [2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4UE

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4UEM4UE-4GNSJC0M-F, M4UE-4GNSJCUN-F, M4UE-8GN1JC0M-H, M4UE-8GN1JCUN-H, M4UE-8GNSKC0M-F, M4UE-8GNSKCUN-F, M4UE-AGN1KC0M-H, M4UE-AGN1KCUN-H, M4UE-2GNV1C0M-F, M4UE-2GNV1CUN-F, M4UE-4GNV2C0M-F, M4UE-4GNV2CUN-F, M4UE-4GNX1C0M-H, M4UE-4GNX1CUN-H, M4UE-8GNX2C0M-H, M4UE-8GNX2CUN-H, M4UE-AGS2JC0M-C, M4UE-AGS2JCUN-C, M4UE-BGS2KC0M-C, M4UE-BGS2KCIK-C, M4UE-BGS2KCSJ-C, M4UE-BGS2KCUN-C, M4UE-2GWV1C0M-R, M4UE-2GWV1CUN-R, M4UE-4GWSJC0M-R, M4UE-4GWSJCUN-R, M4UE-4GWV2C0M-R, M4UE-4GWV2CUN-R, M4UE-8GWSKC0M-R, M4UE-8GWSKCUN-R
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered DIMM
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandNanya, Samsung, Winbond
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 256Mx16, 512Mx8, 512Mx16
GradeCommercial
CL17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Die VersionC, F, H, R
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe31,25 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Glühbirne

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