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|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-2GSVPCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-2GSVPCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSSPCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSSPCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSSPCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSSPCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSSPCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSXPCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSXPCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GS1PCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GS1PCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GS1PCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GS1PCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GS1PCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSSQCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSSQCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSSQCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSSQCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSSQCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSYPCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSYPCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS1QCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS1QCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS1QCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS1QCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS1QCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS2PCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS2PCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-BGS2QCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-BGS2QCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-BGS2QCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |