Innodisk M4D0

M4D0-2GNVPCEM, M4D0-2GNVPCUN, M4D0-4GNSPCEM, M4D0-4GNSPCUN, M4D0-4GWSPCEM, M4D0-4GWSPCUN, M4D0-8GN1PCEM, M4D0-8GN1PCUN, M4D0-8GNSQCEM, M4D0-8GNSQCUN, M4D0-8GWSQCEM, M4D0-8GWSQCUN, M4D0-AGN1QCEM, M4D0-AGN1QCUN, M4D0-AGS2PCEM, M4D0-AGS2PCUN, M4D0-BGS2QCEM, M4D0-BGS2QCIK, M4D0-BGS2QCUN

DDR4

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR4
// [2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8]
// [2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4D0

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4D0M4D0-AGS2PCEM, M4D0-AGS2PCUN, M4D0-BGS2QCEM, M4D0-BGS2QCIK, M4D0-BGS2QCUN, M4D0-2GNVPCEM, M4D0-2GNVPCUN, M4D0-4GNSPCEM, M4D0-4GNSPCUN, M4D0-4GWSPCEM, M4D0-4GWSPCUN, M4D0-8GN1PCEM, M4D0-8GN1PCUN, M4D0-8GNSQCEM, M4D0-8GNSQCUN, M4D0-8GWSQCEM, M4D0-8GWSQCUN, M4D0-AGN1QCEM, M4D0-AGN1QCUN
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
IC Data RateNon-Fixed MHz
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandNanya, Samsung, Winbond
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 256Mx16, 512Mx8
GradeCommercial
CL19, 21, 22
DIMM Datarate2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe69,6 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Glühbirne

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