Innodisk M4DE

M4DE-2GNVPC0M-F, M4DE-2GNVPCUN-F, M4DE-4GNSPC0M-F, M4DE-4GNSPCUN-F, M4DE-4GWSPC0M-R, M4DE-4GWSPCUN-R, M4DE-8GN1PC0M-H, M4DE-8GN1PCUN-H, M4DE-8GNSQC0M-F, M4DE-8GNSQCUN-F, M4DE-8GWSQC0M-R, M4DE-8GWSQCUN-R, M4DE-AGN1QC0M-H, M4DE-AGN1QCUN-H, M4DE-AGS2PC0M-C, M4DE-AGS2PCIK-C, M4DE-AGS2PCSJ-C, M4DE-AGS2PCUN-C, M4DE-BGS2QC0M-C, M4DE-BGS2QCIK-C, M4DE-BGS2QCSJ-C, M4DE-BGS2QCUN-C

DDR4

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR4
// [2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8]
// [2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M4DE

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4DEM4DE-4GNSPC0M-F, M4DE-4GNSPCUN-F, M4DE-8GN1PC0M-H, M4DE-8GN1PCUN-H, M4DE-8GNSQC0M-F, M4DE-8GNSQCUN-F, M4DE-AGN1QC0M-H, M4DE-AGN1QCUN-H, M4DE-AGS2PC0M-C, M4DE-AGS2PCIK-C, M4DE-AGS2PCSJ-C, M4DE-AGS2PCUN-C, M4DE-BGS2QC0M-C, M4DE-BGS2QCIK-C, M4DE-BGS2QCSJ-C, M4DE-BGS2QCUN-C, M4DE-4GWSPC0M-R, M4DE-4GWSPCUN-R, M4DE-8GWSQC0M-R, M4DE-8GWSQCUN-R, M4DE-2GNVPC0M-F, M4DE-2GNVPCUN-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandNanya, Samsung, Winbond
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 256Mx16, 512Mx8
GradeCommercial
CL17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Die VersionC, F, H, R
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite69,6 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Glühbirne

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