Innodisk M4D0

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DDR4

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR4 mit [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
[1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
[2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200]
1.2V

KONFIGURATION

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PRODUKTPREIS

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Basismodul: Innodisk M4D0

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4D0M4D0-4GSSPCEM, M4D0-4GSSPCIK, M4D0-4GSSPCRG, M4D0-4GSSPCSJ, M4D0-4GSSPCUN, M4D0-4GSSP5EM, M4D0-4GSSP5IK, M4D0-4GSSP5RG, M4D0-4GSSP5SJ, M4D0-4GSSP5UN, M4D0-4GHSPCRG, M4D0-8GS1P5EM, M4D0-8GS1P5IK, M4D0-8GS1P5RG, M4D0-8GS1P5SJ, M4D0-8GS1P5UN, M4D0-8GS1PCEM, M4D0-8GS1PCIK, M4D0-8GS1PCRG, M4D0-8GS1PCSJ, M4D0-8GS1PCUN, M4D0-8GSSQ5EM, M4D0-8GSSQ5IK, M4D0-8GSSQ5RG, M4D0-8GSSQ5SJ, M4D0-8GSSQ5UN, M4D0-8GSSQCEM, M4D0-8GSSQCIK, M4D0-8GSSQCRG, M4D0-8GSSQCSJ, M4D0-8GSSQCUN, M4D0-8GM1PCEM, M4D0-8GM1PCUN, M4D0-8GH1PCRG, M4D0-8GHSQCRG, M4D0-AGS2PCEM, M4D0-AGS2PCUN, M4D0-AGS2P5EM, M4D0-AGS2P5UN, M4D0-AGM1QCEM, M4D0-AGM1QCUN, M4D0-AGS1QCEM, M4D0-AGS1QCIK, M4D0-AGS1QCRG, M4D0-AGS1QCSJ, M4D0-AGS1QCUN, M4D0-AGS1Q5EM, M4D0-AGS1Q5IK, M4D0-AGS1Q5RG, M4D0-AGS1Q5SJ, M4D0-AGS1Q5UN, M4D0-AGH1QCRG, M4D0-AGH1QCSJ, M4D0-BGS2Q5EM, M4D0-BGS2Q5IK, M4D0-BGS2Q5UN, M4D0-BGS2QCEM, M4D0-BGS2QCIK, M4D0-BGS2QCUN, M4D0-8GM1P5UN, M4D0-AGM1Q5UN
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandHynix, Micron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
PCB S/NP, Q
GradeCommercial 0° ~ 85°C, Wide Temperature -40~+85°C
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133, 2400, 2666, 2933, 3200
ECCwird unterstützt
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa